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该ETF目前首次在其上升的50日简单移动平均线处获得支撑，自其突破109.02美元的双底枢轴位以来，这是一个往往相当理想的入场点。在此处建立仓位是合理的，并且有望在其突破新形成的双底触发位126.55美元上方时进行加仓；这一底部形态始于1月23日出现的一根十字星。
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从项目实质来看，此次扩产并非新建主体，而是对公司控股子公司广芯微的现有业务进行产能扩容，核心是提升高压、大功率功率半导体的代工能力。按照公司披露，核心项目达产后将新增月产6万片的代工能力，产品覆盖高压IGBT、特高压VDMOS、700V高压BCD等主流品类。